北大团队突破微缩芯片制程难题
北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授带领的研究团队,在光刻技术领域取得重大突破，该团队利用冷冻电子断层扫描技术，成功解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，为光刻缺陷的减少提供了产业化解决方案，这一研究成果已发表在《自然・通讯》杂志上。
光刻技术是集成电路芯片制程工艺持续微缩的关键驱动力之一,随着芯片制程的不断进步，对光刻技术的精度要求也越来越高，传统的光刻技术存在原位观测困难、三维分辨率不足等问题，严重制约了芯片制程的进一步发展。
彭海琳教授团队针对这一难题,首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域，该技术能够实现高分辨率、原位、三维的微观结构观测，为光刻胶分子研究提供了强有力的工具。
经过深入研究,研究团队成功合成了一张分辨率优于5纳米的微观三维“全景照片”，全面揭示了光刻胶分子的微观结构，这一突破性成果为光刻缺陷的减少提供了重要的理论依据。
据悉,该团队的研究成果已指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案，这一方案有望在半导体产业中推广应用，推动芯片制程工艺的持续发展。
此次研究不仅为光刻技术领域带来了新的突破,也为我国半导体产业的发展提供了有力支持，彭海琳教授团队将继续致力于光刻技术的研究，为我国半导体产业的崛起贡献力量。
